在晶圓製造技術上，微影是決定CMOS技術關鍵尺寸最重要步驟之一。隨著技術關鍵尺寸微縮，對於技術節點在7 nm以下先進CMOS製程，極紫外線微影(EUVL)技術已成為世界各大半導體晶圓製造公司的主要解決方案。本計畫為開發一種微感測器陣列(MDA)，用於監測EUV/DUV/E-Beam/Ion-Beam(EDEI)的強度及曝光量之均勻性。影像的關鍵尺寸、尖銳度、和影像邊緣的位置等均可能量到。數據可以在線取得或從晶圓測量。此MDA製作完全相容於FinFET邏輯製程，並將提供高強度對比度、寬動態範圍、內置校準系統、即時WAT分析等特性，與前瞻CMOS製程設備在線整合，藉以監視微區域製程參數變異，提高製程之穩定性及縮短開發時程。同時開發13.5 nm pellicle檢測平台，監測pellicle的壽命及其受熱、氫化過程中EUV光的穿透均勻度。