此分項計畫是研發EUV負光阻材料，及建立材料光蝕刻的測試平台，材料方面是以非錫團聚氧化物為平台，目的是建立起EUV材料的專利佈局，其中劉瑞雄教授負責不同大小的多核金屬團聚化合物，以非錫金屬為主。團聚分子的大小，決定了光阻的線緣粗糙度及結構品質。目的是開發光敏度20~30 mJ/cm2，解析度半周寛(HP) 8~10 nm，線寛粗糙度(LWR)<15%的負光阻。前兩年建立起20~35奈米半周距的曝光圖案。期末時，期望能夠發展到1.0x1.0x0.7 nm3的光阻分子，並能夠用20~30 mJ/cm2曝光，達到產業規格(8-10奈米半周距，LWR<15%，溝槽高寬比>2)。同步輻射機台建置的五年目標是建立15~20奈米周距的曝光平台。邱博文教授的團隊藉由電子束建立EUV光阻材料的替代檢測方式，在極小線寬下之顯影參數的探索與最佳化。